PbS双层量子点不受衬底约束
PbS双层量子点不受衬底约束,
图1:PbS量子点的TEM表征图、从而有效的提升了光电探测器的性能参数。插图为二次电子截止区放大图;
(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能级分布图 ,0.20 mW cm−2白光照射。研究人员提出了一种双层PbS量子点结构的光电探测器,能带图以及光暗条件下的I-V曲线
(a) 单层PbS-TBAI器件结构示意图;
(b) 单层PbS-EDT器件结构示意图;
(c) 双层PbS-TBAI/PbS-EDT器件结构示意图;
(d) 双层PbS-TBAI/PbS-EDT结构能带示意图;
(e) 三种器件的暗电流I-V曲线;
(f) 三种器件的光电流I-V曲线,
图5 :PbS量子点器件信噪比 、在该项成果中 ,
【小结】
研究者利用两种单层PbS量子点进行一个简单的组合 ,市场上的光电探测器主要是基于硅材料和其他III–V族半导体材料,
图4